現(xiàn)有感應加熱設(shè)備分為兩類，一類是IGBT中頻感應加熱設(shè)備，另一類是可控硅感應加熱設(shè)備，如果全部可以加熱，建議采用IGBT中頻加熱，這是一種新型設(shè)備，是采用大規(guī)模集成電路，技術(shù)先進，具體優(yōu)點如下：

一、IGBT比KGPS節(jié)能40-60%，比KGPS節(jié)能20%，節(jié)水60%；

設(shè)備體積小，占用空間小，重量輕，便于移動，無萬伏高壓危險，使操作更加安全。

三是數(shù)字化自動控制，具有手動、半自動、全自動、加熱、保溫、冷卻等分時段控制功能；四是設(shè)備先進的過流、過流、缺水、缺相、過熱等自保護功能；頻率自動跟蹤，無級調(diào)速；設(shè)備獨特的冷卻循環(huán)系統(tǒng)，保證設(shè)備24小時不間斷工作。

低成本的傳感器制造，與設(shè)備性能的寬幅匹配，多功能的工藝制作，讓您的使用得心應手；另外，“一鍵式”快速操作，是自主研發(fā)出來的方便用戶操作的特點，生產(chǎn)線全自動化生產(chǎn)加熱，只需一名員工開、關(guān)、停。就是那些站在用戶角度考慮問題的編號設(shè)備。

目前，IGBT中頻加熱設(shè)備由于技術(shù)上的限制，還不能完全實現(xiàn)IGBT中頻感應加熱，目前國內(nèi)實現(xiàn)IGBT中頻感應加熱的功率為500KW，頻率在8KHZ左右，控制硅的功率達到800KW，頻率較低，因此在棒料直徑80mm以上、淬火深度6mm以上的中頻感應加熱中，采用可控硅進行淬火。